[인포스탁데일리=이동희 기자] 일본 전력반도체 기업 로옴(6963.T)이 GaN 디바이스의 성능을 극대화하는 '초고속 구동 제어' IC 기술을 확립하는 데 성공한 것으로 전해졌다.
3일 로옴에 따르면 GaN(질화갈륨) 디바이스는 고속 스위칭의 특성 우위성으로부터 채용의 확산을 보이는 반면, 구동을 지시하는 역할을 담당하는 제어 IC의 고속화가 과제가 되고 있었다.
이에따라 로음은 전원 IC에서 축적한 초고속 펄스 제어 기술 'Nano Pulse Control'을 더욱 진화시켜 제어 펄스 폭을 종래의 9ns에서 업계 최가 되는 2ns까지 대폭 향상시켰다.
이 기술을 제어 IC에 탑재함으로써 GaN 디바이스가 가지는 성능을 최대한으로 이끌어내는 초고속 구동 제어 IC 기술의 확립에 성공한 것이다.
현재 로옴은 해당 기술을 이용한 제어 IC의 제품화를 진행하고 있으며, 올해 후반 100V 입력 1ch DC-DC 컨트롤러로서 샘플 출하를 개시할 예정이다.
회사 관계자는 "앞으로 아날로그 기술을 중심으로 애플리케이션의 사용 용이성을 추구하고 사회 과제를 해결하는 제품 개발을 진행해 나갈 것"이라고 말했다.
이동희 기자 nice1220@infostock.co.kr
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