[인포스탁데일리=이강욱 전문기자] SK하이닉스가 DDR4 규격으로는 최고속도인 3200Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하는 2세대 10나노급 D램을 개발했다.
SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 해당 제품엔 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술이 새롭게 적용됐다. 데이터 전송 신호를 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상한 기술이다.
전력 소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프의 성능을 강화하는 기술이다.
D램은 공정이 미세화될수록 센스 앰프의 트랜지스터 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 커진다. SK하이닉스는 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다.
데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력을 공급, 불필요한 전력 사용을 방지했다는 게 SK하이닉스의 설명이다.
김석 SK하이닉스 D램 마케팅담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품"이라며 "내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.
이강욱 전문기자 gaguzi@naver.com
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