[인포스탁데일리=이동희 기자] 일본 르네사스일렉트로닉스(6723.T)가 xEV용 인버터에 탑재하는 IGBT 및 SiC 구동용 게이트 드라이버 IC를 개발했다.
26일 르네사스에 따르면 이번에 개발한 게이트 드라이버 IC는 저전압 도메인에서 동작하는 인버터 제어 마이크로컴퓨터로부터의 신호를 받아 내장형 아이솔레이터를 통해 고전압 전력 반도체를 구동하는 역할을 한다.
xEV 배터리의 고전압화에 대응하기 위해 절연 내압을 기존 제품의 2.5kVrms에서 3.75kVrms까지 강화함으로써 1200V 내압의 파워 디바이스에도 사용할 수 있게 된다고 관계자는 설명했다.
특히, 게이트 드라이버로서의 기본 기능을 소형 SOIC16 패키지에 탑재함으로써 비용 효율적인 인버터 시스템을 실현할 수 있을 전망이다.
르네사스는 신제품과 마이크로 컴퓨터, IGBT, 파워 매니지먼트 IC 등을 조합한 xEV 인버터 키트 -inverter-kit ) 솔루션을 개발해 왔다.
회사 측은 "자동차용 게이트 드라이버 IC의 2세대 제품으로서 고내압 및 고CMTI의 제품을 확충, xEV용 어플리케이션 개발을 계속해 나갈 계획"이라고 전했다.
이동희 기자 nice1220@infostock.co.kr
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