이창양 산업장관 "소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력 아끼지 않을 것"
[인포스탁데일리=이동희 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다.
정기태 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 이날 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.
앞서 삼성전자는 지난 2000년대 초 부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작했다. 이후 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.
경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라면서 "이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"고 강조했다.
이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관을 비롯해 삼성전자 임직원 등 100여명이 참석, 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 직원들을 격려했다.
이 산업장관은 "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부하며 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라 강조했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
이현덕 원익IPS 대표는 "삼성의 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"고 말했으며, 이장규 텔레칩스 대표는 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.
한편, 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나간다는 계획이다.
이동희 기자 nice1220@infostock.co.kr
